BTBAS
Silicon Nitride/Oxide Precursor
Low Temperature (550-650℃)
LPCVD
Process for temperature sensitive front-end applications,such as spacer nitrides
Chlorine-free Chemistry
Prevents formation of ammonium chloride deposits
Device-quality Films
- Deposition rate(Å/min) : 10-25
- Refractive Index : 1.98-2.0
- Stress(tensile,dynes/cm2) : 1.45x1010
- Uniformity(system dependent) :
- Wafer/wafer(3k)<2% to <5%
- Within wafer(3k)<2% to <5%
- Wet etch rate(10%HF) : 0.23Å/sec
- Atomic carbon(%) : <5
- Atomic hydrogen(%) : <10
3:1 AR
注意事項：ご使用にあたりましては、弊社担当者にご相談いただき、製品安全データシート（MSDS)をご参照下さいますようお願い致します。